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AO3423  与  DMG2301U-7  区别

型号 AO3423 DMG2301U-7
唯样编号 A36-AO3423 A36-DMG2301U-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20 V 80 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 37 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@-2A,-10V 130mΩ@2.8A,4.5V
Rds On(Max)@4.5V 118mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 166mΩ -
Qgd(nC) 0.9 -
栅极电压Vgs ±12V ±8V
Td(on)(ns) 11 -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
连续漏极电流Id -2A 2.7A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 325 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
Trr(ns) 6.1 -
Td(off)(ns) 8 -
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 800mW(Ta)
Qrr(nC) 1.4 -
VGS(th) -1.2 -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 608pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.5nC @ 4.5V
Coss(pF) 63 -
Qg*(nC) 3.2 -
库存与单价
库存 6,953 19,245
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6655
200+ :  ¥0.507
1,500+ :  ¥0.4407
3,000+ :  ¥0.3887
70+ :  ¥0.7656
200+ :  ¥0.3016
1,500+ :  ¥0.2175
3,000+ :  ¥0.15
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3423 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.507
1,500: ¥0.4407
3,000: ¥0.3887
6,953 当前型号
DMP2160U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 42,000 对比
DMG2301U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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暂无价格 42,000 对比
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¥0.4433 

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120: ¥0.4433
200: ¥0.286
3,000: ¥0.255
24,377 对比
DMG2301U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7656 

阶梯数 价格
70: ¥0.7656
200: ¥0.3016
1,500: ¥0.2175
3,000: ¥0.15
19,245 对比

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