AO3421E 与 NTR4171PT1G 区别
| 型号 | AO3421E | NTR4171PT1G | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AO3421E | A36-NTR4171PT1G | ||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | ON Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Crss(pF) | 27.5 | - | ||||||||||||||||
| 宽度 | - | 1.3 mm | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 95mΩ@10V | 75mΩ@2.2A,10V | ||||||||||||||||
| 正向跨导-最小值 | - | 7 S | ||||||||||||||||
| ESD Diode | Yes | - | ||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 16 ns | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 160mΩ | - | ||||||||||||||||
| Qgd(nC) | 1.2 | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±12V | ||||||||||||||||
| Td(on)(ns) | 8 | - | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23-3 | SOT-23 | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | -3A | 2.2A(Ta) | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| Ciss(pF) | 215 | - | ||||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||||
| 长度 | - | 2.9 mm | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 2.5V,10V | ||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 22 ns | ||||||||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 720pF @ 15V | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 1.4V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 高度 | - | 0.94 mm | ||||||||||||||||
| Trr(ns) | 9 | - | ||||||||||||||||
| Td(off)(ns) | 13.5 | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | 480mW(Ta) | ||||||||||||||||
| Qrr(nC) | 16 | - | ||||||||||||||||
| VGS(th) | -2.5 | - | ||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 32 ns | ||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||
| 系列 | - | NTR4171P | ||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 1.4V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 720pF @ 15V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 15.6nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9 ns | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 15.6nC @ 10V | ||||||||||||||||
| Coss(pF) | 46.5 | - | ||||||||||||||||
| Qg*(nC) | 2.2 | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 14,028 | 11,172 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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AO3421E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V |
¥0.6127
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14,028 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMP3125L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 650mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta) |
¥0.6655
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12,935 | 对比 | ||||||||||||
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NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
¥0.7172
|
11,172 | 对比 | ||||||||||||
|
ZXMP3F30FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.8A(Ta) |
¥1.2903
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6,006 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3098LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
¥0.6765
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2,907 | 对比 | ||||||||||||
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RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |