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AO3418  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 AO3418 IRLML9301TRPBF
唯样编号 A36-AO3418 A36-IRLML9301TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.8A,10V 64mΩ@3.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 3.8A 3.6A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2 34,021
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
3,000+ :  ¥0.52
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

暂无价格 2 当前型号
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
34,021 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
17,629 对比
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.265
750: ¥1.0549
1,500: ¥0.9592
3,000: ¥0.88
7,415 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
100: ¥1.298
750: ¥1.0725
1,500: ¥0.9757
3,000: ¥0.8954
6,000 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.8303 

阶梯数 价格
90: ¥1.8303
100: ¥1.5428
500: ¥1.3512
1,000: ¥1.3512
2,000: ¥1.3416
4,000: ¥1.332
5,982 对比

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