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AO3418  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 AO3418 IRLML9301TRPBF
唯样编号 A36-AO3418 A-IRLML9301TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.8A,10V 64mΩ@3.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 3.8A 3.6A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 1 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.507
1,500: ¥0.4407
3,000: ¥0.3887
91,409 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥1.397 

阶梯数 价格
40: ¥1.397
100: ¥1.111
750: ¥0.9944
1,500: ¥0.9372
3,000: ¥0.8888
5,668 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 64mΩ@3.6A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
2,187 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥1.2573 

阶梯数 价格
40: ¥1.2573
100: ¥0.9999
750: ¥0.895
1,500: ¥0.8435
1,500 对比

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