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AO3409  与  FDN358P  区别

型号 AO3409 FDN358P
唯样编号 A36-AO3409 A36-FDN358P
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 26 -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 110mΩ@-2.6A,-10V 125 毫欧 @ 1.5A,10V
Rds On(Max)@4.5V 180mΩ -
Qgd(nC) 1.1 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 SOT-23-3 SuperSOT
连续漏极电流Id -2.6A 1.5A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 197 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 182pF @ 15V
Trr(ns) 11.3 -
Td(off)(ns) 11.8 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 500mW(Ta)
Qrr(nC) 4.4 -
VGS(th) -2.4 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 182pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
Coss(pF) 42 -
Qg*(nC) 2.2 -
库存与单价
库存 7,778 4,700
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.6149
200+ :  ¥0.3965
1,500+ :  ¥0.3458
3,000+ :  ¥0.3055
40+ :  ¥1.584
100+ :  ¥1.254
750+ :  ¥1.122
1,500+ :  ¥1.0626
3,000+ :  ¥1.012
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6149 

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90: ¥0.6149
200: ¥0.3965
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¥1.584 

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100: ¥1.254
750: ¥1.122
1,500: ¥1.0626
3,000: ¥1.012
4,700 对比

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