首页 > 商品目录 > > > > AO3406代替型号比较

AO3406  与  FDN357N  区别

型号 AO3406 FDN357N
唯样编号 A36-AO3406 A3-FDN357N
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 23 -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@10V 60 毫欧 @ 2.2A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 70mΩ -
Qgd(nC) 1 Ohms -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 4.5 -
封装/外壳 SOT23-3 SuperSOT
连续漏极电流Id 3.6A 1.9A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 170 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
Trr(ns) 7.5 -
Td(off)(ns) 18.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 500mW(Ta)
Qrr(nC) 2.5 -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 2 -
库存与单价
库存 5,178 12,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6875
200+ :  ¥0.5239
1,500+ :  ¥0.455
3,000+ :  ¥0.403
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
5,178 当前型号
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
36,421 对比
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 35,000 对比
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 15,000 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 12,000 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
100: ¥1.298
750: ¥1.0725
1,500: ¥0.9757
3,000: ¥0.8954
6,000 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售