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AO3406  与  FDN357N  区别

型号 AO3406 FDN357N
唯样编号 A36-AO3406 A3-FDN357N
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 23 -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@10V 60 毫欧 @ 2.2A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 70mΩ -
Qgd(nC) 1 Ohms -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 4.5 -
封装/外壳 SOT23-3 SuperSOT
连续漏极电流Id 3.6A 1.9A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 170 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
Trr(ns) 7.5 -
Td(off)(ns) 18.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 500mW(Ta)
Qrr(nC) 2.5 -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 2 -
库存与单价
库存 5,199 12,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7084
200+ :  ¥0.5408
1,500+ :  ¥0.4706
3,000+ :  ¥0.416
暂无价格
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