首页 > 商品目录 > > > > AO3403代替型号比较

AO3403  与  FDN358P  区别

型号 AO3403 FDN358P
唯样编号 A36-AO3403 A36-FDN358P
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@-2.6A,-10V 125 毫欧 @ 1.5A,10V
Rds On(Max)@4.5V 150mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 200mΩ -
Qgd(nC) 1 Ohms -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
Td(on)(ns) 6 -
封装/外壳 SOT-23-3 SuperSOT
连续漏极电流Id -2.6A 1.5A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 260 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 182pF @ 15V
Trr(ns) 11.5 -
Td(off)(ns) 20 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 500mW(Ta)
Qrr(nC) 4.5 -
VGS(th) -1.4 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 182pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
Coss(pF) 37 -
Qg*(nC) 2.8 -
库存与单价
库存 468 4,292
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7304
200+ :  ¥0.5564
30+ :  ¥1.848
100+ :  ¥1.43
750+ :  ¥1.188
1,500+ :  ¥1.0791
3,000+ :  ¥0.9889
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.7304 

阶梯数 价格
70: ¥0.7304
200: ¥0.5564
468 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 24,200 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
6,157 对比
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0791
3,000: ¥0.9889
4,292 对比
RSR025P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT3

暂无价格 0 对比
AO3403L_102 AOS 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售