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AO3402  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 AO3402 IRLML9301TRPBF
唯样编号 A36-AO3402 A36-IRLML9301TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 18 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ@4A,10V 64mΩ@3.6A,10V
Rds On(Max)@4.5V 65mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 3.5 -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 4A 3.6A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 235 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 17.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
Qrr(nC) 2.6 -
VGS(th) 1.5 -
FET类型 N-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 4.7 -
库存与单价
库存 10,488 20,023
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
3,000+ :  ¥0.52
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
10,488 当前型号
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
66,047 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 24,000 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
20,023 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 12,000 对比
FDN337N ON Semiconductor 功率MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.9966 

阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
9,091 对比

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