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AO3402  与  FDN357N  区别

型号 AO3402 FDN357N
唯样编号 A36-AO3402 A3-FDN357N
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 18 -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ@4A,10V 60 毫欧 @ 2.2A,10V
Rds On(Max)@4.5V 65mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
Td(on)(ns) 3.5 -
封装/外壳 SOT-23-3 SuperSOT
连续漏极电流Id 4A 1.9A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 235 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 17.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 500mW(Ta)
Qrr(nC) 2.6 -
VGS(th) 1.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 4.7 -
库存与单价
库存 10,488 12,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
暂无价格
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