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AO3400A  与  IRLML6344TRPBF  区别

型号 AO3400A IRLML6344TRPBF
唯样编号 A36-AO3400A A-IRLML6344TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 50 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 26.5mΩ@10V 29mΩ@5A,4.5V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 32mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 48mΩ -
Qgd(nC) 1.8 -
栅极电压Vgs 12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 3 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 5.7A 5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 630 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 25 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
Qrr(nC) 2.6 -
VGS(th) 1.45 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.8nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.8nC @ 4.5V
Coss(pF) 75 -
Qg*(nC) 6 -
库存与单价
库存 44,795 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6875
200+ :  ¥0.5239
1,500+ :  ¥0.455
3,000+ :  ¥0.403
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3400A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 12V 5.7A 1.4W 26.5mΩ@10V

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
44,795 当前型号
DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.6A 1.4W 28mΩ 30V 1V N-Channel

¥0.5109 

阶梯数 价格
100: ¥0.5109
200: ¥0.3289
1,500: ¥0.286
68,990 对比
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23

暂无价格 3,000 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

¥1.9193 

阶梯数 价格
1: ¥1.9193
25: ¥1.6545
100: ¥1.4263
100 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

暂无价格 2 对比
DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.6A 1.4W 28mΩ 30V 1V N-Channel

暂无价格 0 对比

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