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2N7002P,215  与  2N7002KT1G  区别

型号 2N7002P,215 2N7002KT1G
唯样编号 A36-2N7002P,215 A3-2N7002KT1G
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6Ω@500mA,10V 1.6Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 350mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 360mA(Ta) 320mA(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V 24.5pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.8nC @ 4.5V 0.7nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 24.5pF @ 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 46,758 26,423
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6402
200+ :  ¥0.291
1,500+ :  ¥0.1815
3,000+ :  ¥0.1254
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002P_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6402 

阶梯数 价格
80: ¥0.6402
200: ¥0.291
1,500: ¥0.1815
3,000: ¥0.1254
46,758 当前型号
DMN601K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.9mm

暂无价格 93,200 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥0.8646 

阶梯数 价格
60: ¥0.8646
200: ¥0.3406
1,500: ¥0.246
3,000: ¥0.1695
72,923 对比
2N7002KT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.243 

阶梯数 价格
210: ¥0.243
1,500: ¥0.21
3,000: ¥0.186
64,296 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 39,600 对比
2N7002KT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 26,423 对比

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