首页 > 商品目录 > > > > 2N7002P,215代替型号比较

2N7002P,215  与  2N7002ET1G  区别

型号 2N7002P,215 2N7002ET1G
唯样编号 A36-2N7002P,215 A3-2N7002ET1G
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6Ω@500mA,10V -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
连续漏极电流Id 360mA(Ta) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.8nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 998 39,600
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 360mA(Ta) ±20V 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

暂无价格 998 当前型号
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel

¥0.2265 

阶梯数 价格
230: ¥0.2265
1,500: ¥0.1418
3,000: ¥0.1125
1,345,589 对比
2N7002KT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
137,083 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 39,600 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥0.1995 

阶梯数 价格
260: ¥0.1995
1,500: ¥0.174
3,000: ¥0.1545
34,283 对比
DMN5L06K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 350mW(Ta) 2Ω@50mA,5V -65°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.3A

¥0.4589 

阶梯数 价格
110: ¥0.4589
200: ¥0.2951
3,000: ¥0.2625
28,201 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售