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2N7002KT1G  与  DMN61D8LQ-13  区别

型号 2N7002KT1G DMN61D8LQ-13
唯样编号 A36-2N7002KT1G A36-DMN61D8LQ-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6Ω@500mA,10V 1.8Ω@150mA,5V
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 390mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 320mA(Ta) 0.47A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 24.5pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 3V,5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24.5pF @ 20V 12.9pF @ 12V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V 0.74nC @ 5V
库存与单价
库存 137,083 4,753
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.6193
200+ :  ¥0.282
1,500+ :  ¥0.177
3,000+ :  ¥0.1395
30+ :  ¥1.683
100+ :  ¥1.342
500+ :  ¥1.221
2,500+ :  ¥1.155
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002KT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
137,083 当前型号
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel

¥0.2265 

阶梯数 价格
230: ¥0.2265
1,500: ¥0.1418
3,000: ¥0.1125
1,345,589 对比
2N7002,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23

暂无价格 31,668 对比
BSS138P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.35W 150°C 1.2V 60V 0.36A 车规

暂无价格 9,018 对比
RK7002BT116 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 SST3

¥0.4095 

阶梯数 价格
130: ¥0.4095
200: ¥0.2639
3,000: ¥0.234
6,904 对比
DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 390mW(Ta) 1.8Ω@150mA,5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.47A 车规

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
100: ¥1.342
500: ¥1.221
2,500: ¥1.155
4,753 对比

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