首页 > 商品目录 > > > > 2N7002E-7-F代替型号比较

2N7002E-7-F  与  2N7002KT1G  区别

型号 2N7002E-7-F 2N7002KT1G
唯样编号 A36-2N7002E-7-F A3-2N7002KT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.6Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) 350mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3Ω@250mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.22 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 250mA(Ta) 320mA(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 24.5pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.7nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 24.5pF @ 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 8,312 26,423
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
230+ :  ¥0.2235
1,500+ :  ¥0.195
3,000+ :  ¥0.1725
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002E-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 250mA(Ta)

¥0.2235 

阶梯数 价格
230: ¥0.2235
1,500: ¥0.195
3,000: ¥0.1725
8,312 当前型号
2N7002,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002_N-Channel 0.83W -65°C ~ 150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23

¥0.1695 

阶梯数 价格
300: ¥0.1695
1,500: ¥0.1058
3,000: ¥0.084
770,066 对比
2N7002KT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta)

¥0.234 

阶梯数 价格
220: ¥0.234
1,500: ¥0.204
3,000: ¥0.18
179,419 对比
NX7002BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX7002BK_SOT23 N-Channel 0.31W -55°C~150°C ±20V 60V 0.27A

¥0.1665 

阶梯数 价格
310: ¥0.1665
1,500: ¥0.104
3,000: ¥0.0825
120,997 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 39,600 对比
PMBF170,215 Nexperia  数据手册 JFET(结型场效应晶体管)

PMBF170_null

¥0.4251 

阶梯数 价格
120: ¥0.4251
200: ¥0.273
3,000: ¥0.243
30,079 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售