2DB1132R-13 与 PBSS5330X,115 区别
| 型号 | 2DB1132R-13 | PBSS5330X,115 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-2DB1132R-13 | A36-PBSS5330X,115 | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 | PBSS5330X Series 30 V 3 A SMT PNP Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 1W | 1.6W | ||||
| 特征频率fT | 190MHz | 100MHz | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | 500mV | -320mV | ||||
| 封装/外壳 | SOT-89-3 | SOT-89 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -65°C~150°C | ||||
| VCBO | - | -30V | ||||
| 集电极电流Ic | 1A | -3A | ||||
| VEBO | - | -6V | ||||
| 尺寸 | - | 4.5*2.5*1.5 | ||||
| 直流电流增益hFE | 180 | 175 | ||||
| 集电极-发射极Vceo | 32V | -30V | ||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 1,038 | 7 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2DB1132R-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89-3 1W 32V 1A PNP |
￥0.906
|
1,038 | 当前型号 | ||||||
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2SB1132T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 500mW -32V -1A PNP |
￥0.3966
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22,000 | 对比 | ||||||
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2SB1188T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A PNP |
￥0.6102
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3,430 | 对比 | ||||||
|
|
2SB1132T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 500mW -32V -1A PNP |
￥0.546
|
720 | 对比 | ||||||
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2SB1188T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-243AA 2W -32V -2A PNP |
￥0.6409
|
99 | 对比 | ||||||
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PBSS5330X,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 1.6W -30V -3A PNP |
暂无价格 | 7 | 对比 |
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