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VT6M1T2CR  与  SSM6L35FU(TE85L,F)  区别

型号 VT6M1T2CR SSM6L35FU(TE85L,F)
唯样编号 A33-VT6M1T2CR-0 A-SSM6L35FU(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 VT6M1 Series 20 V 100 mA 3.5 Ohm Surface Mount N/P-Channel Mosfet - VMT6 MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 200mW
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω@100mA,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 120mW -
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3 欧姆 @ 50mA,4V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 9.5pF @ 3V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
栅极电压Vgs ±8V,±10V -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 VMT US6
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.1A 180mA,100mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7.1pF @ 10V -
FET功能 - 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
库存与单价
库存 8,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
130+ :  ¥1.1787
500+ :  ¥0.9746
1,000+ :  ¥0.9447
2,000+ :  ¥0.8652
4,000+ :  ¥0.8652
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
VT6M1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

VMT

¥1.1787 

阶梯数 价格
130: ¥1.1787
500: ¥0.9746
1,000: ¥0.9447
2,000: ¥0.8652
4,000: ¥0.8652
8,000 当前型号
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba  数据手册 MOSFET

US6

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