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UT6K3TCR  与  PMDPB56XNEAX  区别

型号 UT6K3TCR PMDPB56XNEAX
唯样编号 A33-UT6K3TCR A-PMDPB56XNEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@5A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W 0.485W
输出电容 - 31pF
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 2N-Channel N-Channel
封装/外壳 HUML2020L8 SOT1118
连续漏极电流Id 5.5A 3.1A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
输入电容 - 256pF
Rds On(max)@Id,Vgs - 72mΩ@3.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 17 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
560+ :  ¥1.8079
1,000+ :  ¥1.4124
1,500+ :  ¥1.1577
3,000+ :  ¥1.0067
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

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