UT6JA3TCR 与 PMDPB58UPE,115 区别
| 型号 | UT6JA3TCR | PMDPB58UPE,115 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-UT6JA3TCR-2 | A3n-PMDPB58UPE,115 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Ta) | 0.515W | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 59mOhms@5A,4.5V | - | ||||||||||||||
| 输出电容 | - | 95pF | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V@1mA | ±8V | ||||||||||||||
| FET类型 | 2P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020-8 | SOT1118 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 5A(Ta) | -4.5A | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 输入电容 | - | 804pF | ||||||||||||||
| 栅极电荷Qg | 6.5nC@4.5V | - | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 67mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 1,450 | 90,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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;;6.jpg)
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UT6JA3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 20V |
￥3.3251
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1,450 | 当前型号 | ||||||||||||
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74LVCH162373ADGG,1 | Nexperia | 数据手册 | 锁存器 |
SOT362 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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PMDPB80XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 125mΩ@2.5V,102mΩ@4.5V 0.485W 150°C -0.6V,12V -20V -3.7A |
￥0.3828
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300,000 | 对比 | ||||||||||||
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PMDPB85UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 146mΩ@2.5V,103mΩ@4.5V 0.515W 150°C -0.7V,8V -20V -3.7A |
￥1.0209
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108,000 | 对比 | ||||||||||||
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PMDPB58UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 67mΩ@2A,4.5V 0.515W -55°C~150°C ±8V -20V -4.5A |
￥0.958
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90,000 | 对比 | ||||||||||||
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PMDPB70XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 110mΩ@2.5V,87mΩ@4.5V 0.49W 150°C -0.7V,12V -30V -3.8A |
￥0.9059
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12,000 | 对比 |
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