UT6JA3TCR 与 PMDPB55XP,115 区别
| 型号 | UT6JA3TCR | PMDPB55XP,115 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-UT6JA3TCR-0 | A36-PMDPB55XP,115 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 0.49W | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 59mOhms@5A,4.5V | - | ||||||||
| 输出电容 | - | 80pF | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V@1mA | 12V,-0.65V | ||||||||
| FET类型 | 2P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020-8 | SOT1118 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 5A(Ta) | -4.5A | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C | ||||||||
| 输入电容 | - | 785pF | ||||||||
| 栅极电荷Qg | 6.5nC@4.5V | - | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 70mΩ@3.4A,4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 22 | 1,650 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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;;6.jpg)
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UT6JA3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 20V |
暂无价格 | 22 | 当前型号 | ||||||||||
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74LVCH162373ADGG,1 | Nexperia | 数据手册 | 锁存器 |
SOT362 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMDPB55XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 0.49W 150°C 12V,-0.65V -20V -4.5A |
￥2.519
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1,650 | 对比 | ||||||||||
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PMDPB55XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 0.49W 150°C 12V,-0.65V -20V -4.5A |
暂无价格 | 480 | 对比 | ||||||||||
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SSM6P49NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMDPB58UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 0.515W -55°C~150°C ±8V -20V -4.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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