UMZ1NTR 与 BC847BPN,125 区别
| 型号 | UMZ1NTR | BC847BPN,125 | ||||||||
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| 唯样编号 | A33-UMZ1NTR-1 | A36-BC847BPN,125 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | UMZ1N Series 50 V 150 mA SMT NPN/PNP General Purpose Dual Transistor - SC-88 | NPN/PNP 300 mW 45 V 100 mA Surface Mount General-Purpose Transistor - TSSOP-6 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW | ||||||||
| 特征频率fT | 180MHz,140MHz | 100MHz | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 400mV,-500mV | 300mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||
| VCBO | 60V,-60V | 50V | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||
| 集电极电流Ic | 150mA,-150mA | 100mA | ||||||||
| VEBO | 7V,-6V | 5V | ||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V,-50V | 45V | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 120,120 | 200 | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 163 | ||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥1.0637
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.5603
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429 | 对比 | ||||||||||||
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BC847BPN,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 45V 100mA NPN+PNP |
￥1.0634
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219 | 对比 | ||||||||||||
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BC847BPN,125 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 45V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 163 | 对比 | ||||||||||||
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BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 |
￥0.5759
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102 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
