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TPS3808G30QDBVRQ1  与  BD5227G-2CGTR  区别

型号 TPS3808G30QDBVRQ1 BD5227G-2CGTR
唯样编号 A33-TPS3808G30QDBVRQ1-99dk A33-BD5227G-2CGTR
制造商 TI ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23-6 -
工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ) -
输出 开路漏极或开路集电极 -
复位超时 可调节/可选择 -
电压 - 阈值 2.79V -
复位 低有效 -
受监控电压数 1 Ohms -
FET类型 简单复位/加电复位 -
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
TPS3808G30QDBVRQ1 TI 未分类

暂无价格 0 当前型号
BD5227G-2CGTR ROHM Semiconductor 未分类

暂无价格 50 对比

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