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SP8K31HZGTB  与  SP8K31FRATB  区别

型号 SP8K31HZGTB SP8K31FRATB
唯样编号 A33-SP8K31HZGTB A-SP8K31FRATB
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 85mΩ
上升时间 - 14ns
产品特性 车规 车规
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
Qg-栅极电荷 - 3.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 1V
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 2N-Channel -
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOP-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.2nC @ 5V -
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 3.5A
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 3.5A,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 3.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 7ns
库存与单价
库存 2,400 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.2669
50+ :  ¥4.5613
100+ :  ¥3.9959
500+ :  ¥3.6222
1,000+ :  ¥3.5455
2,000+ :  ¥3.488
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SP8K31HZGTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 150°C(TJ) 车规

¥6.2669 

阶梯数 价格
30: ¥6.2669
50: ¥4.5613
100: ¥3.9959
500: ¥3.6222
1,000: ¥3.5455
2,000: ¥3.488
2,400 当前型号
SP8K31FRATB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

3.5A 2W 85mΩ 60V 1V SOP-8 车规

暂无价格 0 对比

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