SI7850DP-T1-E3 与 AO4438 区别
| 型号 | SI7850DP-T1-E3 | AO4438 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SI7850DP-T1-E3 | A-AO4438 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 22 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 | MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | 8-SOIC | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 6.2A(Ta) | 8.2A(Ta) | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22 mOhms @ 10.3A,10V | 22 mΩ @ 8.2A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W(Ta) | 3.1W(Ta) | ||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 58nC @ 10V | ||||||||||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,957 | 0 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SI7850DP-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 60V |
￥26.8404
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2,957 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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AO4438 | AOS | 功率MOSFET |
8.2A(Ta) N-Channel ±20V 22 mΩ @ 8.2A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||||||
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Si7850DP | XBLW | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN5X6-8L |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||||||||||
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Si7850DP | XBLW | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN5X6-8L |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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FDMS5362L_F085 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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