SI2305CDS-T1-GE3 与 NTR2101PT1G 区别
| 型号 | SI2305CDS-T1-GE3 | NTR2101PT1G | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SI2305CDS-T1-GE3 | A36-NTR2101PT1G | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET | Single P-Channel 8 V 120 mOhm 15 nC 0.96 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 宽度 | 1.60mm | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35mΩ | 52m Ohms@3.5A,4.5V | ||||||||||||||
| 上升时间 | 20ns | - | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 30nC | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 400mV | ±8V | ||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 17S | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.8A | 3.7A | ||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||
| 长度 | 2.9mm | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 1.8V,4.5V | ||||||||||||||
| 下降时间 | 10ns | - | ||||||||||||||
| 高度 | 1.45mm | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 8V | 8V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | 960mW(Ta) | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 40ns | - | ||||||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||||||
| 系列 | SI2 | - | ||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 960pF @ 4V | 1173pF @ 4V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 8V | 15nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 20ns | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,960 | 225 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.8A 1.7W 35mΩ 8V 400mV |
￥2.846
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2,960 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
￥0.6006
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225 | 对比 | |||||||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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FDV304P | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 1.1 Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 25V 0.46A 460mA(Ta) 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.4589
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32,705 | 对比 |
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