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SH8KA4TB  与  DMN3033LSD-13  区别

型号 SH8KA4TB DMN3033LSD-13
唯样编号 A33-SH8KA4TB A36-DMN3033LSD-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.4mΩ@9A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@6.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 725pF @ 15V
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
封装/外壳 SOP 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9A 6.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,452 4,740
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥3.306
100+ :  ¥2.7119
300+ :  ¥2.3094
500+ :  ¥2.2327
1,000+ :  ¥2.1753
50+ :  ¥1.1407
100+ :  ¥0.8771
1,250+ :  ¥0.7424
2,500+ :  ¥0.6882
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8KA4TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A

¥3.306 

阶梯数 价格
50: ¥3.306
100: ¥2.7119
300: ¥2.3094
500: ¥2.2327
1,000: ¥2.1753
1,452 当前型号
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.683
750: ¥1.496
1,500: ¥1.408
3,000: ¥1.342
10,771 对比
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A

¥1.1407 

阶梯数 价格
50: ¥1.1407
100: ¥0.8771
1,250: ¥0.7424
2,500: ¥0.6882
4,740 对比
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.3799 

阶梯数 价格
40: ¥1.3799
3,000: ¥1.3152
3,014 对比
AO4924 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 12V 9A 2W 15.8mΩ@10V

¥2 

阶梯数 价格
1: ¥2
100: ¥1.5918
1,000: ¥1.1471
1,500: ¥0.9873
3,000: ¥0.78
3,000 对比
DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.8A

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
1,305 对比

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