SH8KA4TB 与 DMN3033LSD-13 区别
| 型号 | SH8KA4TB | DMN3033LSD-13 | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-SH8KA4TB | A36-DMN3033LSD-13 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21.4mΩ@9A,10V | - | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3W | - | ||||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 20mΩ@6.9A,10V | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 725pF @ 15V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 13nC @ 10V | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOP | 8-SO | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A | 6.9A | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 640pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.5nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,452 | 4,756 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
|
1,452 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
￥1.2062
|
4,756 | 对比 | ||||||||||||||
|
AO4924 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 12V 9A 2W 15.8mΩ@10V |
￥2
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
￥1.375
|
2,690 | 对比 | ||||||||||||||
|
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
￥1.991
|
2,500 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0076
|
2,263 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
