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SH8K32TB1  与  DMN6066SSD-13  区别

型号 SH8K32TB1 DMN6066SSD-13
唯样编号 A33-SH8K32TB1-1 A36-DMN6066SSD-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@4.5A,10V 66mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.8W
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SO
连续漏极电流Id 4.5A 4.4A
工作温度 150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.3nC @ 10V
栅极电荷Qg 10nC@5V -
库存与单价
库存 2,500 2,295
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥10.9911
50+ :  ¥6.449
100+ :  ¥5.8836
500+ :  ¥5.5099
1,000+ :  ¥5.4333
2,000+ :  ¥5.3758
30+ :  ¥1.947
100+ :  ¥1.507
1,250+ :  ¥1.309
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150℃(TJ) 60V

¥10.9911 

阶梯数 价格
20: ¥10.9911
50: ¥6.449
100: ¥5.8836
500: ¥5.5099
1,000: ¥5.4333
2,000: ¥5.3758
2,500 当前型号
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.507
1,250: ¥1.309
2,295 对比
DMN6066SSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
46 对比
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A

暂无价格 0 对比
IRF7341 Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V SO-8 65mΩ 2N-Channel 20V 3.8A

暂无价格 0 对比
DMN6066SSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

暂无价格 0 对比

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