首页 > 商品目录 > > > > SH8K32GZETB代替型号比较

SH8K32GZETB  与  DMN6066SSD-13  区别

型号 SH8K32GZETB DMN6066SSD-13
唯样编号 A33-SH8K32GZETB A-DMN6066SSD-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 66mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1.8W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 65mOhms@4.5A,10V -
栅极电压Vgs 2.5V@1mA -
FET类型 2N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SO
连续漏极电流Id 4.5A(Ta) 4.4A
工作温度 150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.3nC @ 10V
栅极电荷Qg 10nC@5V -
库存与单价
库存 1,100 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥10.3682
50+ :  ¥5.8261
100+ :  ¥5.2608
500+ :  ¥4.8871
1,000+ :  ¥4.8104
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8K32GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150℃(TJ) 60V

¥10.3682 

阶梯数 价格
20: ¥10.3682
50: ¥5.8261
100: ¥5.2608
500: ¥4.8871
1,000: ¥4.8104
1,100 当前型号
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55℃~150℃

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
750: ¥1.463
1,500: ¥1.397
3,000: ¥1.32
9,000 对比
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.507
1,250: ¥1.309
2,295 对比
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售