SH8K32GZETB 与 AO4828 区别
| 型号 | SH8K32GZETB | AO4828 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SH8K32GZETB-0 | A-AO4828 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 25 | ||||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 15.7 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 56mΩ@4.5A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 77mΩ | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 2W | ||||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 32 | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 65mOhms@4.5A,10V | - | ||||||||||||||
| VGS(th) | - | 3 | ||||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 2.2 | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V@1mA | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 4.7 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A(Ta) | 4.5A | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 450 | ||||||||||||||
| 栅极电荷Qg | 10nC@5V | - | ||||||||||||||
| Trr(ns) | - | 27.5 | ||||||||||||||
| Coss(pF) | - | 60 | ||||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 4.3 | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 6,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥11.7577
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
￥3.631
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0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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