SH8J66TB1 与 DMP3036SSD-13 区别
| 型号 | SH8J66TB1 | DMP3036SSD-13 | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SH8J66TB1 | A36-DMP3036SSD-13 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | -30v,9a,18.5mohms,so-8 | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOP | SO | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A | 10.6A | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18.5mΩ@9A,10V | 20mΩ@9A,10V | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | 3V @ 250µA | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3000pF @ 10V | 1931pF @ 15V | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 4V | 30V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.2W | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 35nC @ 5V | 16.5nC @ 10V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,511 | 4,212 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
¥11.5277
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1,511 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AO4805 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -9A 2W 18mΩ@10V |
¥2.574
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29,166 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP3036SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@9A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 10.6A |
¥2.409
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4,212 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4805 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -9A 2W 18mΩ@10V |
¥2.8205
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1,000 | 对比 |