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SH8J65TB1  与  DMP3028LSD-13  区别

型号 SH8J65TB1 DMP3028LSD-13
唯样编号 A33-SH8J65TB1 A36-DMP3028LSD-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@7A,10V 25mΩ
上升时间 - 17.1ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.7W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs - 1V
典型关闭延迟时间 - 60.5ns
正向跨导 - 最小值 - 11S
封装/外壳 8-SOP SO
连续漏极电流Id 7A 6A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMP3028
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1241pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.9nC @ 10V
下降时间 - 40.4ns
典型接通延迟时间 - 9.7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 5V -
库存与单价
库存 2,100 4,214
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥10.5503
50+ :  ¥6.0178
100+ :  ¥5.4524
500+ :  ¥5.0691
1,000+ :  ¥4.9925
2,000+ :  ¥4.935
30+ :  ¥1.738
100+ :  ¥1.342
1,250+ :  ¥1.166
2,500+ :  ¥1.1
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8J65TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 7A 29mΩ@7A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP

¥10.5503 

阶梯数 价格
20: ¥10.5503
50: ¥6.0178
100: ¥5.4524
500: ¥5.0691
1,000: ¥4.9925
2,000: ¥4.935
2,100 当前型号
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
2,500: ¥1.1
4,214 对比
AO4813 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55℃~150℃

¥1.474 

阶梯数 价格
40: ¥1.474
100: ¥1.133
351 对比
AO4813 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V

暂无价格 0 对比
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V

暂无价格 0 对比

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