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SCT4026DRHRC15  与  SCT4026DRC15  区别

型号 SCT4026DRHRC15 SCT4026DRC15
唯样编号 A33-SCT4026DRHRC15-0 A-SCT4026DRC15
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述 750V, 56A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 750V, 26mΩ, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-4L TO-247-4L
工作温度 - -40°C~175°C
连续漏极电流Id - 56A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 34mΩ@ 29A,18V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 750V
Pd-功率耗散(Max) - 176W
栅极电压Vgs - +21V,-4V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 450 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥150.645
5+ :  ¥99.1683
10+ :  ¥92.7385
30+ :  ¥88.4456
50+ :  ¥87.5928
60+ :  ¥87.3724
100+ :  ¥86.9507
200+ :  ¥86.6249
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT4026DRHRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247-4L 车规

¥150.645 

阶梯数 价格
1: ¥150.645
5: ¥99.1683
10: ¥92.7385
30: ¥88.4456
50: ¥87.5928
60: ¥87.3724
100: ¥86.9507
200: ¥86.6249
450 当前型号
SCT4026DEHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N 车规

¥150.645 

阶梯数 价格
1: ¥150.645
5: ¥99.1683
10: ¥92.7385
30: ¥88.4456
50: ¥87.5928
60: ¥87.3724
100: ¥86.9507
200: ¥86.6249
430 对比
SCT4026DRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247-4L N-Channel 34mΩ@ 29A,18V 176W -40°C~175°C +21V,-4V 750V 56A

¥148.1344 

阶梯数 价格
2: ¥148.1344
5: ¥96.6577
10: ¥90.2279
30: ¥85.935
50: ¥85.0822
60: ¥84.8618
100: ¥84.4306
200: ¥84.1144
271 对比
SCT4026DRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247-4L N-Channel 34mΩ@ 29A,18V 176W -40°C~175°C +21V,-4V 750V 56A

暂无价格 30 对比
SCT4026DRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247-4L N-Channel 34mΩ@ 29A,18V 176W -40°C~175°C +21V,-4V 750V 56A

暂无价格 0 对比
SCT4026DEHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N 车规

暂无价格 0 对比

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