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SCT3105KLGC11  与  SCT3105KLHRC11  区别

型号 SCT3105KLGC11 SCT3105KLHRC11
唯样编号 A33-SCT3105KLGC11-1 A33-SCT3105KLHRC11-0
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SIC MOSFET SIC MOSFET
描述 SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 134W
Rds On(Max)@Id,Vgs 137mΩ -
技术 - SiCFET(碳化硅)
漏源极电压Vds 1.2KV -
Qg-栅极电荷 51 nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 574pF @ 800V
栅极电压Vgs -4V,to22V -
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-247N-3 TO-247N
连续漏极电流Id 24A -
工作温度 -55°C~175°C 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 3.81mA
通道数量 1 Channel -
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 137 毫欧 @ 7.6A,18V
Vgs(最大值) - +22V,-4V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 18V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 24A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 1200V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 51nC @ 18V
库存与单价
库存 450 180
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
2+ :  ¥117.9977
10+ :  ¥98.9383
50+ :  ¥88.1006
100+ :  ¥83.7023
1+ :  ¥160.0357
10+ :  ¥113.6952
50+ :  ¥104.9177
100+ :  ¥100.8356
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SIC MOSFET

TO-247N-3

¥117.9977 

阶梯数 价格
2: ¥117.9977
10: ¥98.9383
50: ¥88.1006
100: ¥83.7023
450 当前型号
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SIC MOSFET

TO-247N

暂无价格 450 对比
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SIC MOSFET

TO-247N

¥160.0357 

阶梯数 价格
1: ¥160.0357
10: ¥113.6952
50: ¥104.9177
100: ¥100.8356
180 对比
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SIC MOSFET

TO-247N

¥160.0357 

阶梯数 价格
1: ¥160.0357
7 对比
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SIC MOSFET

TO-247N

暂无价格 0 对比

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