首页 > 商品目录 > > > SCT3080KRC14代替型号比较

SCT3080KRC14  与  SCT3080KLHRC11  区别

型号 SCT3080KRC14 SCT3080KLHRC11
唯样编号 A33-SCT3080KRC14 A3-SCT3080KLHRC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述 SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 165W
产品特性 - 车规
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 18V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 785pF @ 800V
FET 类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-247-4 TO-247N
工作温度 175°C(TJ) 175°C(TJ)
漏源电压(Vdss) 1200V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 104 毫欧 @ 10A,18V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc) -
Vgs(最大值) - +22V,-4V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 5mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 785pF @ 800V -
技术 - SiCFET(碳化硅)
FET类型 - N 通道
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 104 毫欧 @ 10A,18V -
Vgs(最大值) +22V,-4V -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 5mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 31A(Tc)
功率耗散(最大值) 165W -
漏源电压(Vdss) - 1200V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 18V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 60nC @ 18V
库存与单价
库存 390 219
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥172.1958
3+ :  ¥132.3905
4+ :  ¥127.4172
5+ :  ¥124.4275
9+ :  ¥119.1284
10+ :  ¥118.4577
20+ :  ¥115.4776
30+ :  ¥114.481
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) TO-247-4

¥172.1958 

阶梯数 价格
1: ¥172.1958
3: ¥132.3905
4: ¥127.4172
5: ¥124.4275
9: ¥119.1284
10: ¥118.4577
20: ¥115.4776
30: ¥114.481
390 当前型号
SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

¥177.0445 

阶梯数 价格
1: ¥177.0445
3: ¥137.2392
4: ¥132.2659
5: ¥129.2762
9: ¥123.9676
10: ¥123.3064
20: ¥120.3262
30: ¥119.3297
445 对比
SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

¥177.0445 

阶梯数 价格
1: ¥177.0445
3: ¥137.2392
4: ¥132.2659
5: ¥129.2762
9: ¥123.9676
10: ¥123.3064
20: ¥120.3262
30: ¥119.3297
249 对比
SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

暂无价格 219 对比
SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售