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SCT3080KLGC11  与  LSIC1MO120E0080  区别

型号 SCT3080KLGC11 LSIC1MO120E0080
唯样编号 A33-SCT3080KLGC11-0 A33-LSIC1MO120E0080
制造商 ROHM Semiconductor Littelfuse
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET IGBT晶体管
描述 SCT3080KL Series 1200 V 31 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 104mΩ@10A,18V -
漏源极电压Vds 1200V -
Pd-功率耗散(Max) 165W(Tc) -
栅极电压Vgs +22V,-4V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id 31A(Tc) -
工作温度 175°C(TJ) -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 5mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 785pF @ 800V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 18V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
库存与单价
库存 450 450
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
2+ :  ¥122.9902
5+ :  ¥77.6271
10+ :  ¥71.9543
30+ :  ¥68.1692
50+ :  ¥67.4122
60+ :  ¥67.2302
100+ :  ¥66.8469
200+ :  ¥66.569
1+ :  ¥215.6232
3+ :  ¥177.8206
4+ :  ¥173.0965
5+ :  ¥170.2601
9+ :  ¥165.2198
10+ :  ¥164.5874
20+ :  ¥161.751
30+ :  ¥160.8023
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥122.9902 

阶梯数 价格
2: ¥122.9902
5: ¥77.6271
10: ¥71.9543
30: ¥68.1692
50: ¥67.4122
60: ¥67.2302
100: ¥66.8469
200: ¥66.569
450 当前型号
LSIC1MO120E0080 Littelfuse  数据手册 IGBT晶体管

¥215.6232 

阶梯数 价格
1: ¥215.6232
3: ¥177.8206
4: ¥173.0965
5: ¥170.2601
9: ¥165.2198
10: ¥164.5874
20: ¥161.751
30: ¥160.8023
450 对比
LSIC1MO120E0080 Littelfuse  数据手册 IGBT晶体管

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