SCT3080ALGC11 与 IPW60R125CFD7 区别
| 型号 | SCT3080ALGC11 | IPW60R125CFD7 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-SCT3080ALGC11-1 | A-IPW60R125CFD7 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | SiC MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 104mΩ@10A,18V | 125mΩ | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 650V | 600V | ||||||||||||||||
| Moisture Level | - | NA | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 134W(Tc) | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | 3.5V,4.5V | ||||||||||||||||
| Special Features | - | fast recovery diode | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| Pin Count | - | 3.0 Pins | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247N | TO-247 | ||||||||||||||||
| Mounting | - | THT | ||||||||||||||||
| 工作温度 | 175°C(TJ) | - | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 30A | 18A | ||||||||||||||||
| QG (typ @10V) | - | 36.0 nC | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 5mA | - | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 571pF @ 500V | - | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 18V | - | ||||||||||||||||
| Ptot max | - | 92.0 W | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | - | ||||||||||||||||
| IDpuls max | - | 66.0 A | ||||||||||||||||
| Budgetary Price €/1k | - | 1.77 | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 450 | 0 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
+22V,-4V 134W(Tc) 104mΩ@10A,18V 175°C(TJ) TO-247N N-Channel 650V 30A |
￥119.5692
|
450 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
|
STW33N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
IPW60R125CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A TO-247 N-Channel 600V 125mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
