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SCT3080ALGC11  与  IPW60R125CFD7  区别

型号 SCT3080ALGC11 IPW60R125CFD7
唯样编号 A33-SCT3080ALGC11-0 A-IPW60R125CFD7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 104mΩ@10A,18V 125mΩ
漏源极电压Vds 650V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 134W(Tc) -
栅极电压Vgs +22V,-4V 3.5V,4.5V
Special Features - fast recovery diode
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 TO-247N TO-247
Mounting - THT
工作温度 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 30A 18A
QG (typ @10V) - 36.0 nC
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 5mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 571pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 18V -
Ptot max - 92.0 W
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
IDpuls max - 66.0 A
Budgetary Price €€/1k - 1.77
库存与单价
库存 216 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
2+ :  ¥105.3873
5+ :  ¥60.0146
10+ :  ¥54.3418
30+ :  ¥50.5664
50+ :  ¥49.8094
60+ :  ¥49.6177
100+ :  ¥49.2344
200+ :  ¥48.9565
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

¥105.3873 

阶梯数 价格
2: ¥105.3873
5: ¥60.0146
10: ¥54.3418
30: ¥50.5664
50: ¥49.8094
60: ¥49.6177
100: ¥49.2344
200: ¥48.9565
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