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SCT3030ALGC11  与  FCH041N60F  区别

型号 SCT3030ALGC11 FCH041N60F
唯样编号 A33-SCT3030ALGC11 A-FCH041N60F
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 通用MOSFET
描述 SCT3030AL Series 650 V 70 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N FCH041N60F Series 600 V 76 A 41 mOhm N-Ch SuperFET® II FRFET® MOSFET - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@27A,18V 41m Ohms@38A,10V
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 262W(Tc) 595W(Tc)
栅极电压Vgs +22V,-4V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
连续漏极电流Id 70A(Tc) 76A
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 13.3mA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1526pF @ 500V 14365pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 104nC @ 18V 360nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V 10V
库存与单价
库存 47 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥180.5708
3+ :  ¥142.7586
4+ :  ¥138.0345
5+ :  ¥135.1981
9+ :  ¥130.1578
10+ :  ¥129.5254
20+ :  ¥126.689
30+ :  ¥125.7499
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3030ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

¥180.5708 

阶梯数 价格
1: ¥180.5708
3: ¥142.7586
4: ¥138.0345
5: ¥135.1981
9: ¥130.1578
10: ¥129.5254
20: ¥126.689
30: ¥125.7499
47 当前型号
FCH041N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

77A(Tc) ±20V 592W(Tc) 41m Ohms@39A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 77A

暂无价格 0 对比
FCH041N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

76A(Tc) ±20V 595W(Tc) 41m Ohms@38A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 76A

暂无价格 0 对比

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