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SCT3017ALHRC11  与  SCT3017ALGC11  区别

型号 SCT3017ALHRC11 SCT3017ALGC11
唯样编号 A33-SCT3017ALHRC11-0 A3-SCT3017ALGC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id 118A(Tc) -
工作温度 175℃(TJ) -
漏源极电压Vds 650V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 427W -
Vgs(最大值) +22V,-4V -
栅极电荷Qg 172nC@18V -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 22.1mOhms@47A,18V -
栅极电压Vgs 5.6V@23.5mA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 450 309
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥739.493
10+ :  ¥711.1387
50+ :  ¥701.6809
100+ :  ¥696.9567
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥739.493 

阶梯数 价格
1: ¥739.493
10: ¥711.1387
50: ¥701.6809
100: ¥696.9567
450 当前型号
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥650.4342 

阶梯数 价格
1: ¥650.4342
10: ¥622.0799
50: ¥612.622
100: ¥607.8979
450 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥650.4342 

阶梯数 价格
1: ¥650.4342
10: ¥622.0799
50: ¥612.622
100: ¥607.8979
431 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 309 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥428.9706 

阶梯数 价格
450: ¥428.9706
0 对比

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