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SCT2160KEHRC11  与  SCT2160KEC  区别

型号 SCT2160KEHRC11 SCT2160KEC
唯样编号 A33-SCT2160KEHRC11-0 A36-SCT2160KEC
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述 1200 V 160 mOhm 20 A Surface Flange Mount 2G SiC MosFet - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 208mΩ
上升时间 - 25ns
漏源极电压Vds - 1.2KV
Pd-功率耗散(Max) - 165W
Qg-栅极电荷 - 62nC
栅极电压Vgs - 1.6V
典型关闭延迟时间 - 67ns
正向跨导 - 最小值 - 2.4S
封装/外壳 - TO-247
工作温度 - 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 22A
系列 - SCT2x
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 2.5mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 800V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 18V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 18V
下降时间 - 27ns
典型接通延迟时间 - 23ns
库存与单价
库存 450 0
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
2+ :  ¥147.4732
5+ :  ¥102.1005
10+ :  ¥96.4373
30+ :  ¥92.6523
50+ :  ¥91.8953
60+ :  ¥91.7036
100+ :  ¥91.3299
200+ :  ¥91.0424
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT2160KEHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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¥147.4732 

阶梯数 价格
2: ¥147.4732
5: ¥102.1005
10: ¥96.4373
30: ¥92.6523
50: ¥91.8953
60: ¥91.7036
100: ¥91.3299
200: ¥91.0424
450 当前型号
SCT2160KEC ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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暂无价格 0 对比
SCT2160KEC ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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