RXH125N03TB1 与 IRF7811AVPBF 区别
| 型号 | RXH125N03TB1 | IRF7811AVPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RXH125N03TB1 | A-IRF7811AVPBF | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 4mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12mΩ@12.5A,10V | 14mΩ | ||
| 引脚数目 | - | 8 | ||
| 最小栅阈值电压 | - | 1V | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | - | ||
| 连续漏极电流Id | 12.5A(Ta) | 11.8A | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 长度 | - | 5mm | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | 4.5V | ||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 3V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1000pF @ 10V | 1801pF @ 10V | ||
| 高度 | - | 1.50mm | ||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||
| 典型关断延迟时间 | - | 43 ns | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||
| 晶体管材料 | - | Si | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 3W | ||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 系列 | - | HEXFET | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 8.6 ns | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12.7nC @ 5V | 26nC @ 5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 48 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥6.4969
|
48 | 当前型号 | ||||
|
AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
|
0 | 对比 | ||||
|
|
AO4566 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 12A 2.5W 11mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF7811AVPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 11.8A 14mΩ 3W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
IRF8707GTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 11A 17.5mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
