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RXH125N03TB1  与  AO4566  区别

型号 RXH125N03TB1 AO4566
唯样编号 A33-RXH125N03TB1-0 A36-AO4566
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 31
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12.5A,10V 11mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 17mΩ
Qgd(nC) - 1.7
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 4
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 12.5A(Ta) 12A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 542
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 9.7
Td(off)(ns) - 18
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W
Qrr(nC) - 11.5
VGS(th) - 2.3
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.7nC @ 5V -
Coss(pF) - 233
Qg*(nC) - 4.3
库存与单价
库存 2,452 2,890
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥6.6119
50+ :  ¥3.718
100+ :  ¥3.5264
500+ :  ¥3.2868
1,000+ :  ¥3.1718
2,000+ :  ¥2.9514
80+ :  ¥0.6699
200+ :  ¥0.546
1,500+ :  ¥0.4966
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
50: ¥3.718
100: ¥3.5264
500: ¥3.2868
1,000: ¥3.1718
2,000: ¥2.9514
2,452 当前型号
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SO-8

¥0.6699 

阶梯数 价格
80: ¥0.6699
200: ¥0.546
1,500: ¥0.4966
2,890 对比
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暂无价格 7 对比
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¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
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0 对比
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