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RXH100N03TB1  与  SI4172DY-T1-GE3  区别

型号 RXH100N03TB1 SI4172DY-T1-GE3
唯样编号 A33-RXH100N03TB1 A3t-SI4172DY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - 8-SOIC
连续漏极电流Id - 15A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12 mOhms @ 11A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),4.5W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 9 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RXH100N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 9 当前型号
SI4172DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

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