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RV5A040APTCR1  与  RW1A025APT2CR  区别

型号 RV5A040APTCR1 RW1A025APT2CR
唯样编号 A33-RV5A040APTCR1 A-RW1A025APT2CR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6 MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 700mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 62mΩ@2.5A,4.5V
漏源极电压Vds - 12V
Pd-功率耗散(Max) - 400mW(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000 pF @ 6 V -
栅极电压Vgs - -8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 6-PowerWFDFN SOT-563,SOT-666
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16 nC @ 4.5 V -
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.5A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 6V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 62 毫欧 @ 4A,4.5V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) 12 V -
库存与单价
库存 80 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥4.6283
50+ :  ¥3.1527
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RV5A040APTCR1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 6-PowerWFDFN 150°C(TJ)

¥4.6283 

阶梯数 价格
40: ¥4.6283
50: ¥3.1527
80 当前型号
RW1A025APT2CR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A(Ta) -8V 400mW(Ta) 62mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) P-Channel 12V 2.5A SOT-563,SOT-666

暂无价格 100 对比
RW1C025ZPT2CR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 6-WEMT

暂无价格 100 对比
RW1A025APT2CR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A(Ta) -8V 400mW(Ta) 62mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) P-Channel 12V 2.5A SOT-563,SOT-666

暂无价格 0 对比
RW1A030APT2CR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 6-WEMT

暂无价格 0 对比
RW1C025ZPT2CR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 6-WEMT

暂无价格 0 对比

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