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RTQ020N03TR  与  IRFTS8342TRPBF  区别

型号 RTQ020N03TR IRFTS8342TRPBF
唯样编号 A33-RTQ020N03TR A-IRFTS8342TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 29 mOhm 4.8 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SC-74
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 125mΩ@2A,4.5V 19mΩ@8.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs 12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 6-TSOP
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A(Ta) 8.2A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 135pF @ 10V 560pF
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.3nC @ 4.5V 4.8nC
库存与单价
库存 983 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥2.4244
100+ :  ¥1.8111
300+ :  ¥1.3895
500+ :  ¥1.3128
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta)

¥2.4244 

阶梯数 价格
70: ¥2.4244
100: ¥1.8111
300: ¥1.3895
500: ¥1.3128
983 当前型号
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,979 对比
IRLMS1503TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.2A,10V N-Channel 30V 3.2A Micro6™(TSOP-6)

暂无价格 0 对比
NTGS4141NT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT23-6

暂无价格 0 对比
IRFTS8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 19mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 8.2A 30V 6-TSOP

暂无价格 0 对比
AO6400 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V ±12V 6.9A 2W 28mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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