首页 > 商品目录 > > > > RSJ650N10TL代替型号比较

RSJ650N10TL  与  IRLS4030TRLPBF  区别

型号 RSJ650N10TL IRLS4030TRLPBF
唯样编号 A33-RSJ650N10TL-0 A-IRLS4030TRLPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 100W 370W(Tc)
漏源极电压Vds 100V 100V
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 65A 180A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~175°C(TJ)
系列 RSJ650N10 HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 9.1mΩ@32.5A,10V 4.3mΩ@110A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
库存与单价
库存 164 0
工厂交货期 28 - 35天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥31.1141
10+ :  ¥25.0389
30+ :  ¥21.0622
50+ :  ¥20.2668
100+ :  ¥19.6727
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C

¥31.1141 

阶梯数 价格
5: ¥31.1141
10: ¥25.0389
30: ¥21.0622
50: ¥20.2668
100: ¥19.6727
164 当前型号
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 10mΩ@10V 300W 175°C 3V 100V 110A

暂无价格 0 对比
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK769R6-80E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 9.6mΩ@10V 182W 175°C 3V 80V 75A

暂无价格 0 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 10mΩ@10V 300W 175°C 3V 100V 110A

暂无价格 0 对比
BUK9610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 11mΩ@4.5V,9.7mΩ@10V,10mΩ@5V 300W 175°C 1.5V 100V 75A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售