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RSJ550N10TL  与  IRL2910SPBF  区别

型号 RSJ550N10TL IRL2910SPBF
唯样编号 A33-RSJ550N10TL-0 A-IRL2910SPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.8mΩ@27.5A,10V 26mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id 55A 55A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3700pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 49 ns
漏源极电压Vds 100V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 100W 3.8W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 11 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 5V
库存与单价
库存 486 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
6+ :  ¥29.6576
10+ :  ¥16.6447
30+ :  ¥12.8596
50+ :  ¥12.1026
100+ :  ¥11.5373
300+ :  ¥11.154
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ550N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

55A 16.8mΩ@27.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel ±20V 100W 150°C(TJ)

¥29.6576 

阶梯数 价格
6: ¥29.6576
10: ¥16.6447
30: ¥12.8596
50: ¥12.1026
100: ¥11.5373
300: ¥11.154
486 当前型号
BUK9620-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9620-100B_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 1.58V 100V 63A 车规

¥10.7166 

阶梯数 价格
200: ¥10.7166
400: ¥8.7841
800: ¥7.6383
0 对比
BUK9620-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL2910SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 55A 26mΩ 3.8W

暂无价格 0 对比

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