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RSJ400N10TL  与  IRFS59N10DTRLP  区别

型号 RSJ400N10TL IRFS59N10DTRLP
唯样编号 A33-RSJ400N10TL-0 A-IRFS59N10DTRLP
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.8 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@40A,10V 25mΩ@35.4A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.35W(Ta),50W(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 40A(Tc) 59A
工作温度 150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 114nC @ 10V
栅极电荷Qg 90nC@10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 114nC @ 10V
库存与单价
库存 337 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥13.3483
50+ :  ¥8.8063
100+ :  ¥8.2409
300+ :  ¥7.8672
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ400N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥13.3483 

阶梯数 价格
20: ¥13.3483
50: ¥8.8063
100: ¥8.2409
300: ¥7.8672
337 当前型号
AOB2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V

¥5.102 

阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
RSJ400N10FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263S-3 100V 40A 27mΩ 20V 50W -55°C~150°C 车规

暂无价格 150 对比
IRFS59N10DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK

暂无价格 0 对比
PHB45NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB45NQ10T_SOT404 N-Channel 150W 175℃ 3V 100V 47A

暂无价格 0 对比
BUK7628-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7628-100A_SOT404 N-Channel 166W 175℃ 3V 100V 47A

¥16.2906 

阶梯数 价格
170: ¥16.2906
400: ¥12.2486
800: ¥10.0398
0 对比

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