RSJ250P10TL 与 IRF5210SPBF 区别
| 型号 | RSJ250P10TL | IRF5210SPBF | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RSJ250P10TL-0 | A-IRF5210SPBF | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 50W | 3.1W(Ta),170W(Tc) | ||||||||||||
| 上升时间 | 67ns | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | -100V | 100V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 310ns | - | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 25A | 38A | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 系列 | RSJ250P10 | HEXFET® | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2780pF @ 25V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 230nC @ 10V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||
| 下降时间 | 180ns | - | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 30ns | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 45mΩ@-25A,-10V | 60mΩ@38A,10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2780pF @ 25V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 230nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,840 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RSJ250P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel |
￥18.5324
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1,840 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IRF5210SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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