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RSD221N06TL  与  BUK9237-55A,118  区别

型号 RSD221N06TL BUK9237-55A,118
唯样编号 A33-RSD221N06TL A-BUK9237-55A,118
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 MOSFET N-CH 55V 32A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 850mW(Ta),20W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 77W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 10V -
输出电容 - 151pF
栅极电压Vgs - 1.5V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 CPT3 SOT428
工作温度 150°C(TJ) 175℃
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 32A
输入电容 - 927pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 26 毫欧 @ 22A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 22A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 33mΩ@10V,38mΩ@4.5V,37mΩ@5V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥10.3203
50+ :  ¥5.7782
100+ :  ¥5.2129
500+ :  ¥4.8392
1,000+ :  ¥4.7625
2,000+ :  ¥4.705
400+ :  ¥7.8701
1,000+ :  ¥5.8297
1,250+ :  ¥4.5544
2,500+ :  ¥3.7332
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥10.3203 

阶梯数 价格
20: ¥10.3203
50: ¥5.7782
100: ¥5.2129
500: ¥4.8392
1,000: ¥4.7625
2,000: ¥4.705
2,500 当前型号
IRLR2905PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 110W(Tc) 27mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 55V 42A D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25N06S4L-30_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AUIRLR2905TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 42A(Tc) ±16V 110W(Tc) 27mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规

暂无价格 0 对比
IRFR4105Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 30A(Tc) ±20V 48W(Tc) 24.5mΩ@18A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
BUK9237-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9237-55A_SOT428 N-Channel 77W 175℃ 1.5V 55V 32A

¥7.8701 

阶梯数 价格
400: ¥7.8701
1,000: ¥5.8297
1,250: ¥4.5544
2,500: ¥3.7332
0 对比

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