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RSD221N06TL  与  TK20S06K3L(T6L1,NQ  区别

型号 RSD221N06TL TK20S06K3L(T6L1,NQ
唯样编号 A33-RSD221N06TL-0 A-TK20S06K3L(T6L1,NQ
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 850mW(Ta),20W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 60 V
Pd-功率耗散(Max) - 38W(Tc)
产品状态 - 最后售卖
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 29 毫欧 @ 10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 10V 780 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 18 nC @ 10 V
封装/外壳 CPT3 DPAK+
工作温度 150°C(TJ) 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 20A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 26 毫欧 @ 22A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V 6V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 22A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 7,301 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.7782
50+ :  ¥5.1075
100+ :  ¥4.5517
500+ :  ¥4.5421
1,000+ :  ¥4.5325
2,000+ :  ¥4.5134
4,000+ :  ¥4.4846
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.4846
7,301 当前型号
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